所在地：陕西西安市 入职年份： 资料待完善 学历： 硕士 毕业院校： 资料待完善
从事领域 资料待完善
擅长能力 1． 宽禁带半导体器件工艺2. 宽禁带半导体新结构器件3．GaN基电子器件可靠性研究4．GaN数字电路关键技术研究5．高击穿电压GaN功率器件研究
教授，博士生导师。
研究方向：宽禁带半导体材料工艺与新型器件结构
：王冲，2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管，2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇，获得授权专利5项，专利转让金额70余万元。参加国家纵向科研项目10余项，近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问学者一年。