陈松岩

　1993年攻读博士学位，在博士期间曾参加863项目－1.55μm量子阱激光器与HBT单片集成光发射机研制，在国内利用低压MOCVD技术生长出1.55μm的量子阱激光器和满足光电集成的需HBT和MESFET等器件,器件性能达到国际先进水平。1995年博士毕业以后，在厦门大学任教至今，1997-1998年，在此期间在俄罗斯莫斯科国立大学物理系作访问学者。96年为厦门大学优秀青年骨干教师，2000年-2001年曾获福建省科技进步二等奖，厦门市科技进步三等奖。自工作以来承担863国家高新技术项目、国家基金项目、国家教育部优秀青年骨干教师项目、留学回国基金项目、福建省青年重点基金项目、高新技术项目、省基金项目、国际合作项目等。目前主要研究方向为Si基半导体材料和光电器件的研究。　　　　　论文发表：(1)RoleofGeinterlayerinthegrowthofhigh-qualitystrainrelaxedSiGelayerwithlowdislocationdensity，AppliedSurfaceScience257(2011)2818–2821，2011年10月(2)Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用，ActaPhys.Sin.Vol.60,No.9(2011)098108，2011年09月(3)Energybanddesignforp-typetensilestrainedSi/SiGemulti-quantumwellinfraredphotodetector，OPTOELECTRONICSLETTERSVol.7No.3,1May2011，2011年05月(4)FormationandopticalpropertiesofnanocrystallineseleniumonSisubstrate，ThinSolidFilms519(2011)6102–6105，2011年04月(5)Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究，光电子.激光,2011，22(2):215-218，2011年02月(6)ThermalStabilityofNickelGermanideFormedonTensile-StrainedGeEpilayeronSiSubstrate，ElectronDeviceLetters,IEEE,vol.31,pp,863-865,2010，2010年08月(7)GaN基LED与Si键合技术的研究，光电子.激光,2010，21(8):1202-1205，2010年08月(8)GeIncorporationinHfO2DielectricDepositedonGeSubstrateduringDry/WetThermalAnnealing，J.Electrochem.Soc.,Volume157,Issue6,pp.H603-H606(2010)，2010年04月(9)ThermalstabilityofSiGelmsonanultrathinGebufferlayeronSigrownatlowtemperature，APPLIEDSURFACESCIENCE，2010，256（22）：6936-6940，2010年04月(10)Quantum-confineddirectbandtransitionsintensilestrainedGe/SiGequantumwellsonsiliconsubstrates，Nanotechnology,2010,21(11):115207-1-5，2010年02月(11)GaN/metal/Siheterostructurefabricatedbymetalbondingandlaserlift-o，JournalofSemiconductors,30(12):123001-4，2009年12月(12)EnhancedphotoluminescenceofstrainedGewithadelta-dopingSiGelayeronsiliconandsilicon-on-insulator，AppliedPhysicsLetters,95(25),2009/12/21，2009年12月(13)Strain-inducedanodizationofSiGe/SimultiplelayerstoformhighdensitySiGe/Siheterogeneousnanorods，SolidStateCommunications,149(43-44),pp1897-1901,2009/11，2009年11月(14)Experimentalevidenceofoxidant-diffusion-limitedoxidationofSiGe