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钱凌轩
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钱凌轩

所在地:四川成都市 入职年份: 资料待完善 学历: 硕士 毕业院校: 资料待完善

从事领域 微电子

擅长能力 氧化物半导体基薄膜晶体管及逻辑电路 面向后摩尔时代碳基电子技术 高K栅介质在MOS场效应晶体管中的应用 半导体固态光电探测器

钱凌轩,副教授。2014年毕业于香港大学电机电子工程(EEE)系,获哲学博士学位(PhD),同年加入电子科技大学、电子薄膜与集成器件国家重点实验室,长期从事半导体(微电子)器件领域研究。2006至2009年,曾就职于中芯国际(北京),任工艺整合部(PIE)代理项目经理,全程参与中国第一条65 nm集成电路工艺线研发,并负责前道器件(FEOL Devices)开发与调控。迄今为止,在IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、ACS Photonics、ACS Appl. Mater. Inter.等领域权威期刊上发表SCI论文30余篇;撰写英文专著(Springer)章节1章;申请/授权中国发明专利7项;主持国家自然科学基金(面上/青年)及其他省部级科研项目多项。

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