所在地：湖北武汉市 入职年份： 资料待完善 学历： 资料待完善 毕业院校： 资料待完善
从事领域 微电子
擅长能力 二维材料生长、微纳器件制备、微尺度传热和器件热管理； 宽禁带半导体（SiC/GaN/BN）薄膜生长、器件制备以及模块热管理； 功率电子器件（SiC/GaN）封装材料，包括高导热、绝缘、耐高温封装材料 先进半导体制备工艺；
国家脉冲强磁场科学中心，教授，博士生导师，国家高层次人才项目入选者。 2019年和2011年分别获得山东大学化学专业学位、韩国成均馆大学化工专业硕士学位。2012年进入美国伦斯勒理工学院机械航空与核能学院攻读博士学位，并于2016年获得伦斯勒理工学院机械工程博士学位。 2016年至2017年，在美国伦斯勒理工学院从事博士后研究。2017年至2019年就职于格罗方德半导体股份有限公司（GlobalFoundries，全球第二大半导体芯片生产商），职位为高级工程师，负责先进半导体芯片制程的优化和研发。2019年全职回国加入华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心。 研究方向包括： （1）二维材料生长、微纳器件制备、微尺度传热和器件热管理； （2）功率电子器件（SiC/GaN）封装材料，包括高导热、绝缘、耐高温封装材料； （3）宽禁带半导体（SiC/GaN/BN）薄膜生长、器件制备以及模块热管理； （4）先进半导体制备工艺； 在相关领域取得了一系列突出成果，在Science，Nature Nanotechnology，Nature Communication 等知名国际期刊发表论文40余篇。其中以第一作者/通讯作者发表论文11篇，包括1篇Science，一篇Nature Nanotechnology, 1篇Advanced Materials，1篇Advanced Functional Materials。总计引用次数超过1500次，h-index 为16。曾获2016年国家优秀自费留学生奖学金，2016年“The Karen & Lester Gerhardt Prize in Science and Engineering(RPI)”, 2016年美国材料学会研究生银奖，2019年Globy Award in Globalfoundries。