侯国付

1975年10月生于山东泰安。博士（后），南开大学副研究员，硕士生导师，主要从事薄膜光伏材料和器件、新型太阳电池概念的研究。 1999.7 聊城大学本科毕业；2002.7 南开大学物理学院光学专业硕士学位；2005.7 南开大学光电子所微电子学与固体电子学博士学位；2009.11~2010.11在美国Toledo大学做博士后研究。2003年6月留校工作至今。 作为科研骨干连续参加科技部十五、十一五和十二五973项目关于低价、长寿命太阳电池关键科学和技术问题的基础研究。在器件质量级微晶硅材料的结构特征及光电性能参数、高速沉积高效率微晶硅电池及器件结构设计等方面有深入的研究。单结微晶硅电池效率9.36%，非晶硅/微晶硅叠层电池效率11.3%！ 美国Toledo大学做博士后研究主要工作为高速率沉积高效率的不锈钢柔性衬底太阳电池。对柔性衬底SiGe电池的光电和结构特性、高效背反射电极的表面形貌和表面处理方法有较深入研究，a-Si/a-SiGe叠层硅基薄膜电池效率达13%。 科研项目、成果、获奖、专利等情况： 1. 天津市应用基础研究计划项目，新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究，2007--2009，8万元，负责人 2. 国家自然科学基金，用于太阳电池的光子晶体陷光结构的陷光机理、结构设计与实验研究，2012--2015，63万元，负责人 3. 863计划项目子课题，高效硅基薄膜太阳电池技术研究，2012--2014，155万元，负责人 4. 天津市应用基础研究计划重点项目，2012-2015，20万元，负责人 5.科技部973项目，全光谱高效硅基薄膜电池的基础研究，2011---2015，~1100万元，第二负责人 6.科技部973项目，制备大面积硅薄膜电池的产业化关键技术研究，2006---2010，550万元，科研骨干 7.侯国付 李贵君 赵颖 耿新华，一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法，中国发明专利，专利号：ZL **3.9 8.Guofu Hou, Qi Hua Fan, Changyong Chen, Xunming Deng, Graded p-layers for thin film silicon solar cells, Provisional USA Patent, filed October, 2010（美国专利） 9.Qi Hua Fan, Guofu Hou, Xianbo Liao, Xunming Deng, Methods to make back reflectors for high performance and high yield thin film solar cells, Provisional USA Patent, Ser. No. 61/367,775 filed July 26, 2010（美国专利） 撰写论文、专著、教材等： 1、Guofu Hou, Jia Fang, Qi Hua Fan, Changchun Wei, Jian Ni, Xiaodan Zhang, YingZhao, Nanostructured silicon p-layer obtained by radio frequency power profiling process for high-efficiency amorphous silicon solar cell, Solar Energy Materials & Solar Cells 134(2015) 395–399 2、Peizhuan Chen, Guofu Hou#, QiHua Fan, Qian Huang, Jing Zhao, Jianjun Zhang, Jian Ni, Xiaodan Zhang, and Ying Zhao，An efficient light trapping scheme based on textured conductive photonic crystal back reflector for performance improvement of amorphous silicon solar cells，Applied Physics Letters 105, 073506 (2014) 3、Guofu Hou, Guijun Li, Jia Fang, Changchun Wei, Xiaodan Zhang, Ying Zhao，Inclusion of nanometer-sized silicon crystallites in n-layer for open circuit voltage enhancement in amorphous silic