王广才

1987年7月南开大学电子科学系本科毕业，获学士学位，1996年7月南开大学光电子所博士毕业，获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。发表论文16篇，主持4项科研项目。研究方向有：硅基薄膜太阳电池的设计、测试和制备技术；锑化铟薄膜霍尔元件的研究、制备和测试；集成电路设计、测试。目前主要从事薄膜光电子材料与器件的研究与测试仪器开发工作。 科研项目、成果、获奖、专利等情况： 主持的科研项目： 1、高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发（2013AA050302）（2013.01~2015.12）(730万元)，科技部‘863’计划项目。 2、超声波喷雾法制备光伏玻璃减反射膜（10ZCKFGX02200）（2010.04~2013.03）(30万元)，天津科委科技支撑计划重点项目。 3、通过外部技术手段改善薄膜太阳能电池转换效率（或寿命）的可行性分析，（2009.04~ 2009.12），(2.5万元)，横向。 4、非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用，（3万元），天津市二十一世纪青年科学基金项目。 获得的科研成果: 1、大面积a-Si/a-Si/a-SiGe叠层太阳电池的研究（教G95 签字043号，第1完成者） 2、非晶硅太阳电池荧光特性测试系统（教G95P 签字003号，第4完成者） 3、大面积高效高稳定非晶硅太阳电池的研究和应用（85-10-05-08）（教G95 签字044号，第5完成者） 4、非晶硅单结弱光电池系列（教G95P 签字001号，第6完成者） 5、非晶硅叠层弱光电池系列（教G95P 签字002号，第6完成者） 6、非晶硅太阳电池应用研究（津科成鉴字J(92)102号，第7完成者） 7、高速沉积高效非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池及组件（360-**-11） 8、大面积非晶硅/微晶硅叠层太阳电池组件中试生产技术研发（360-**-14） 撰写论文、专著、教材等： 1、非晶硅锗单结电池的研究，《半导体杂志》，第22卷第3期，(1997)，p.1-8 2、高质量非晶硅锗材料的研制，《半导体杂志》，第22卷第2期，(1997)，p.12-15 3、大面积高效率非晶硅基叠层太阳电池的研究，《光电子激光》，第8卷第6期，（1997） 4、叠层太阳电池的设计，《半导体杂志》，第17卷第1期，(1992) ，p.15-24 5、非晶硅太阳电池本征层的特性研究，《光电子激光》，第4卷第1期，1993年，p.7-12 6、YAG Laser Annealing Used to Produce Poly-Si Films，Phys. Stat. Sol.(a) 132， (1992)， k75-k80 7、400cm2单结集成型a-Si太阳电池的研制，《太阳能学报》，Vol.13，No.2，1992年，p.203-206 讲授课程： 1、等离子体物理学（博士）；2、等离子体放电原理与应用（硕士） 社会兼职：