董红

博士, 材料科学与工程，美国德州大学达拉斯分校 2013. 08 毕业论文题目：磷化铟和磷化镓及与高介电常数材料表面、界面表征 导师: Prof. Robert M. Wallace （半导体高介电常数材料先驱之一，电气电子工程师学会（IEEE）和 美国真空学会（AVS）的委员（Fellow）） 硕士，物理学， 美国德州农工大学科莫斯分校 2009.07 导师：Prof. Anil Chourasia 本科， 物理学，兰州大学，中国2007.06 科研项目、成果、获奖、专利等情况： 自2011年以来，在应用物理快报(Applied Physics Letters)等国际期刊发表31篇学术论文（第一作者为7篇），其中15篇应用物理快报。 曾在7次国际会议口头报告研究成果。关注与高速，低能耗半导体材料（III-V族半导体和过渡金属硫族化合物）与高-k和金属的界面和表面研究。 1. 通过X-射线光电谱的原位表征方法，揭示了InP表面/界面化学在原子层生长过程中的详细演变过程。 2. 通过X-射线光电谱与低能离子散射谱的组合运用，发现并表征了铟的外扩散现象，并与理论和电学表征相结合，为电子器件的工艺提供了有价值的信息。 撰写论文、专著、教材等： 期刊论文： 1.H. Dong, R. Galatage, W. Cabrera, B. Brennan, X. Qin, J. Kim, C. L. Hinkle, Y. Chabal, and R. M. Wallace, “In situ study of Si interfacial passivation layer between high-k dielectrics and InP”.ACS Applied Materials and Interfaces, 6， 7340，2014. 2.H. Dong, B. Brennan, D. Zhernokletov, J. Kim, C. L. Hinkle, and R. M. Wallace, “In situ study of Atomic layer deposition of HfO2 on InP (100)”, Applied Physical Letters, 102, 171602，2013. 3.H. Dong, W. Cabrera, R.V. Galatage, S. KC, B. Brennan, X. Qin, S. McDonnell, D. Zhernokletov, C. L. Hinkle, K. Cho, Y. J. Chabal, and R. M. Wallace, “Indium diffusion through high-k dielectrics in high-k/InP stacks”, Applied Physics Letters, 103, 061601，2013. 4.H. Dong, B. Brennan, X. Qin, D. Zhernokletov, C. L. Hinkle, J. Kim, and R. M. Wallace, “In situ study of atomic layer deposition of Al2O3 on GaP (100)”, Applied Physics Letters, 103, 121604，2013. 5.H. Dong, Santosh KC, W. Cabrera, A. Zacatzi, X. Qin, B. Brennan, C. L. Hinkle, Y. Chabal, K. Cho, and R. M. Wallace, “In situ study of e-beam evaporation of Al and Hf on native oxide InP”, Journal of Applied Physics, 114, 203505, 2013. 6.H. Dong, Santosh KC, X. Qin, B. Brennan, S. McDonnell, D. Zhernokletov, C. L. Hinkle, J. Kim, K. Cho, and R. M. Wallace, “In situ study of the role of substrate temperature during atomic layer deposition of HfO2 on InP”, Journal of Applied Physics, 114, 154105, 2013. 7.H. Dong, J. L. Edmondson, R. L. Miller, A. R. C