技术简介： 本发明公开了一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法，包括如下步骤：清洗基片；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜；在所述聚酰亚胺膜上涂覆光刻胶LOR并烘干；在所述光刻胶LOR上涂覆光刻胶AZ1500并烘…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，包括第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器，第一层圆形SIW谐振器包括滤波器上表面、第一介质基板和公用金属面；第二层圆形SIW谐振器…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种提高角度稳定性的超宽通带频率选择表面及其设计方法，频率选择表面由五层构成，分别为第一金属贴片层、第一中间介质层、第二金属贴片层、第二中间介质层、第三金属贴片层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公布了一种可控制备单根(数根)氧化锌(ZnO)纳米或微米器件的方法。利用水热法生长出了直径约100-300nm、长度20-30μm的ZnO纳米/微米棒。在显微镜下用介电电泳法可控地将单根ZnO棒组装在电…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型是一种基于硅基氮化镓的静电梳状驱动式微镜。该微镜是将氮化镓材料生长在硅上,总共包含两层，下层为衬底层，材料为硅，由可动梳齿，固定梳齿，悬臂梁，微镜构成,可动梳齿与固定梳齿非…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬…… 查看详细 >
技术简介： 发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法，该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题，获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型波导圆极化器极化器包括方形波导（1）和金属隔板（2），以及两个波导渐变部分（6、7），所述金属隔板（2）由依次连接的接收单元（3）、传输单元（4）和辐射单元（5）构成，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有开关特性的频率选择表面和设计方法，该方法为：步骤1：根据频率选择表面工作频段需求，选择低损耗及合适介电常数的介质材料设计介质谐振器的形状、尺寸；然后，通过电磁场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于基片集成非辐射介质波导的帯通滤波器电路，是在共面波导到槽线的过渡电路和三层基片集成非辐射介质波导构成的三层电路基础上，在基片集成非辐射介质波导的中心介质条带上通…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器，包括介质基片、微带传输线、共面波导过渡结构、两排金属柱、位于介质基片上表面的金属层、位于介质基片下面的金属接地板、位…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种H型开路枝节结合栅栏型缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器，能够实现射频系统所需超宽阻带低通滤波器，相比传统DGS滤波器具有更宽的阻带，具有较好的滚降度，并且实际应用中，基于此…… 查看详细 >