技术简介： 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，…… 查看详细 >
一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法
技术简介： 本发明公开了一种具有P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法，该器件一方面采用槽型栅代替常规平面栅，同时将漏极重掺杂区延伸至与漂移区同等深度，使得漂移区超结中P柱与N柱分别接低电位与高电位，PN结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片，进一步采用氮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种MOSFET结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底电极、衬底、沟道区、源区、漏区、源极、漏极、栅氧层和栅极，所述衬底内置的衬底区域形成表面为非平面的沟道区，且沟道区的两侧…… 查看详细 >
CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用
技术简介： 本发明属于半导体材料技术领域，提供CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备方法。所述方法经过步骤一制备前驱体溶液；将铜的无机盐和硫脲以一定的比例溶解在酰胺及其衍生物中的一种溶剂中，生成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种无铅钙钛矿太阳能电池太阳能电池在基板上包括由下至上依次设置的第一电极、第一载流子传输层、无铅钙钛矿化合物层、第二载流子传输层和第二电极，其中，所述无铅钙钛矿化合物层由…… 查看详细 >