技术简介： 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种应用金属纳米粒子的光伏电池结构，包括从下到上依次布置的阳极层、空穴提取层、活性层、电子提取层及阴极层，还包括金属纳米粒子，所述金属纳米粒子位于所述阳极与空穴提取层之间…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有双频光协同转换能力的纳米薄膜及其喷墨打印成膜方法。该材料以氟化物作为基质材料，选取Er3+离子作为激活发光中心离子，能够同时吸收紫外光和红外光并转换为可见光。其制备…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以…… 查看详细 >
技术简介： 发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种螺旋管式压电弹簧及其制备方法。该压电弹簧为螺旋管状结构，压电弹簧从内至外包括金属内芯、压电材料层和外电极层。该制备方法首先把金属内芯绕制成螺旋管状结构；然后使用提拉法…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种通信、照明复用LED灯该LED灯包含有两种功能，一是白光照明，二是用作红外光通信的发射端。其中，照明是以一种或多种稀土离子（Dy3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Eu2+、Ce2+、Tm3+、Ho3+…… 查看详细 >