技术简介： 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华…… 查看详细 >
技术简介： 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机物雌激素受激动和拮抗体作用的识别方法。利用分子动力学手段，计算与分析有机物与雌激素受体结合过程，基于配体结合方式和雌激素配体结合区构象的变化，特别是ER的LBD结构…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种硅纳米管的制备方法，利用Mg对SiO2的还原作用，在催化剂作用下，将SiO2纳米球还原成硅的纳米管。制得的硅纳米管呈灰黑色粉末状，管内径约在120-170nm不等。该硅纳米管由两步合成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种从氨氮废水中回收并提纯氨气的方法，属于废水处理技术与资源化领域。本发明包括以下步骤：1、采用空气吹脱方式将含氨氮的废水在碱性条件下进行吹脱，去除废水中大部分氨氮和易…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种梳状聚醚嵌段聚丙烯酸共聚物及其合成方法。所述梳状聚醚嵌段聚丙烯酸共聚物由聚醚嵌段和聚丙烯酸嵌段组成，其重均分子量(Mw)为1.0-9.0万，其中聚醚嵌段含量（重量比）为50-90%…… 查看详细 >
碳纳米材料/水/梳状聚醚嵌段聚丙烯酸共聚物悬浮液及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种碳纳米材料/水/梳状聚醚嵌段聚丙烯酸共聚物悬浮液及其制备方法。悬浮液由碳纳米材料、水和梳状聚醚嵌段聚丙烯酸共聚物组成。其制备方法是将碳纳米材料和水按重量比配合，搅拌成…… 查看详细 >
利用模板法制备介孔二氧化钛的方法及其在制备染料敏化太阳能电池中的应用
技术简介： 本发明提供一种利用模板法制备介孔二氧化钛的方法，该方法包括如下步骤：将聚(乙二醇)-嵌-聚(丙二醇)-嵌-聚(乙二醇)加入水中，再加入氟化铵、三甲基苯，搅拌均匀，得模板溶液；向所得到的模板溶…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高比表面积磁性粉末树脂及其制备方法和应用，属于树脂材料领域。该磁性粉末树脂平均粒径1-60μm，比饱和磁化强度在0.1-20emu/g，比表面积为800-1600m2/g。该树脂采用膜乳化-…… 查看详细 >
技术简介： 一种氢氧化镁纳米管的制法，它是在含有浓度为0.1-4.0mol/L的镁离子的溶液中，加入镁离子物质的量0.2-3倍的阴离子表面活性剂作为模板剂，混合均匀，然后，在溶液中加入浓度为1-12mol/L的碱的水溶…… 查看详细 >