技术简介： 摘要：本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)的器件结构，尤其涉及一种高效荧光掺杂有机电致发光器件。本发明制备的有机电致发光器件由透明衬底、透明阳极、空穴传输层、第一激子阻挡层、发光层、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。本发明所述的器件结构是典型的反型结构。首先，对于二氧化钛电子传输层进行紫外处理和…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种基于双电子和双空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法，属于有机太阳能电池技术领域。从下至上，依次为ITO导电玻璃衬底、PFN/聚芴材料PFBT双电子传输层、PCDTBT：PCBM活性层、MoO3/…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型涉及一种全碳基量子点混合荧光粉LED。本实用新型采用由蓝光波段的碳点荧光粉、红光波段的聚合物量子点荧光粉以及绿光波段的聚合物量子点荧光粉组成的混合荧光层作为发光层，紫…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种全碳基量子点混合荧光粉LED及其制备方法，是新型材料在照明领域的应用。本发明采用由蓝光波段的碳点荧光粉、红光波段的聚合物量子点荧光粉以及绿光波段的聚合物量子点荧光…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极…… 查看详细 >
具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及其制备方法
技术简介： 摘要：具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式NixCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含有Fe的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式FexCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对称的集成层叠变压器，由衬底、自下而上依次设于衬底上的第一至第三层介质以及分别置于第一层介质中的网格状屏蔽栅、第二层介质中的初级线圈和第三层介质中的次级线圈构成；其…… 查看详细 >