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[00100966]一种高活性缺陷型Bi-2MoO-6纳米带及其制备与应用

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN202011538487.0

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产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明提供了一种高活性缺陷型钼酸铋纳米带及其制备与应用。本发明方法通过油胺水热法和随后的多次热处理去除晶面剩余的油胺络合物,可以调控制备出具有表面缺陷的Bi-2MoO-6,通过缺陷的生成,可以抑制光生载流子的复合,提高光催化活性。本发明的有益效果主要体现在:①本发明制备工艺简单、使用设备种类少,适合工业化生产;②制得的钼酸铋样品具有特殊的纳米带状形貌;③制得的钼酸铋样品具有纳米缺陷结构;④制得的钼酸铋样品光催化性能优异、光催化活性高。

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