[00101144]一种分段线性忆阻器模型及设计方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种分段线性忆阻器模型及设计方法,本发明考虑到局部有源忆阻器的物理模型具有强非线性,不利于数学分析,而其直流V-I曲线中存在S型负微分电导特性是产生振荡行为的关键和起源,本发明提出的分段线性忆阻器模型,可以有效地模拟S型局部有源忆阻器物理器件整体无源、局部有源和S型负微分电阻特性,通过准静态测试和动态性能测试确定的模型,具有简单、准确、参数少、分段线性等优点,方便对局部有源忆阻器及其应用进行研究和分析。
