交易价格: 面议
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类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN202010144724.9
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本发明公开一种利用变化的电场来控制氢钝化的方法。本发明将类单晶硅太阳能电池的完整片子加热到一定的温度,使氢和金属的复合体分解,重新激活氢原子和金属杂质。然后正负变化的电场可以使氢和金属杂质改变其带电状态,并使氢和金属杂质扩散到类单晶硅片的表面或者结构缺陷处,使得引起光衰的元素在硅片体内大量减少,从而减少了类单晶硅太阳能电池的光衰。本发明相比传统氢钝化技术可以提高氢钝化效果达到1倍以上。
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