[00101213]高集成度相变存储器阵列结构
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技术详细介绍
本发明属于存储设备技术领域,具体涉及一种高集成度相变存储器阵列结构,包括单元；单元包括芯骨,芯骨的相对两面或周向四面向外依次设置有相变材料层、沟道层、多晶硅层、门电极；数个单元通过三维堆叠成n×n×n的阵列结构,高度方向上相互堆叠的n个单元构成一条存储器链；还包括选通电路,位于存储器链底端单元与选通电路连接；选通电路包括芯骨,芯骨的相对两面或周向壁面外依次设置有沟道层、多晶硅层、门电极；选通电路的芯骨、沟道层、多晶硅层均为存储器链底端的单元沿其高度方向向下延伸而成；选通电路的门电极与其对应单元的门电极结构相同。本发明能够实现高集成度,同时不会有明显热串扰,保证存储器件可靠性。
