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[00101242]一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法及系统

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 已有样品

专利所属地:中国

专利号:CN202010750717.3

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服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明属于量子光学技术领域,具体涉及一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法,包括如下步骤:建立双曲超构材料空腔结构的模型;确定双曲超构材料的电磁特性;计算共振原子能级频率偏移量及非共振原子能级频率偏移量;计算共振Casimir-Polder势及非共振Casimir-Polder势;计算原子在双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder力;能够准确地分析双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder势及Casimir-Polder力,能够分析磁双曲超构材料和电双曲超构材料空腔结构产生Casimir-Polder吸引力以及排斥力的原因,通过调整相应的参数,可以准确的分析Casimir-Polder效应在双曲超构材料空腔结构中的特性。

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