[00101286]一种光探测器及制备方法

交易价格： 面议

所属行业：

类型： 发明专利

技术成熟度： 已有样品

专利所属地：中国

专利号：CN202011593312.X

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技术详细介绍

本发明公开了一种光探测器及制备方法,探测器包括WSe-2薄膜材料、ZnTe薄膜材料、n-Si基底和金属电极；所述的n-Si基底上生长WSe-2薄膜,WSe-2薄膜上生长ZnTe薄膜,n-Si基底、ZnTe薄膜表面分别生长金属电极。本发明制备的光探测器,以n型硅为基底,与集成电路工艺兼容；具有厚度薄、光响应快、可探测黄绿光到近红外波段光的优点。

[00101286]一种光探测器及制备方法

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