[00101359]一种柔性超薄晶硅电池及制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种柔性超薄晶硅电池及制备方法,本发明从上到下依次包括第一SiN-(x)薄膜、SiO-(2)钝化薄膜、p型单晶硅片、Al-(2)O-(3)薄膜、第二SiN-(x)薄膜和不锈钢衬底；所述的p型单晶硅片上表面织构化,且p型单晶硅形成n+发射极,得到p-n结,p型单晶硅片背面采用激光打孔,并在孔内形成p+局部背表面场,并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结,发射结上设有金属电极；本发明的晶硅厚度在20-40微米范围内,相对于已有报道电池结构,本电池在转换效率上具有显著提升。
