交易价格: 面议
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类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN202110443340.1
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本发明涉及纳米复合材料技术领域,尤其涉及一种多层纳米帽-星耦合周期性阵列及其制备方法,包括贵金属-氧化物双层基底以及生长在其表面的纳米贵金属周期阵列,所述贵金属选自Au、Ag、Pd和Pt中的一种。本发明的多层纳米帽-星耦合周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点,具有传导表面等离激元和改变局域能量场的优异性能;纳米图纹阵列构筑步骤简单、制备周期较短;在制备过程中无需昂贵的试剂因而制备成本较低;双层结构的制备为后续纳米结构拓宽了可操作的空间。
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