[00101432]一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法,现有技术中贵金属元素掺杂后,可以改变h-BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯,h-BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h-BN前驱物和掺杂剂,通过气相法在基底上制备出金掺杂h-BN薄膜,厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h-BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。
