交易价格: 面议
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类型: 发明专利
技术成熟度: 已有样品
专利所属地:中国
专利号:CN202110721792.1
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本发明公开了一种硫电极的制备方法,主要采用光照硫脲使得硫脲分解的方式制备硫电极。采用本发明的技术方案,可以很好地将硫脲与宿主材料混合,最终得到单质硫与宿主材料均匀混合的硫电极,从而阻止正极聚硫锂向负极扩散,抑制锂硫电池的穿梭效应,提高锂硫电池的库伦效率,提升锂硫电池的循环稳定性。
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