[00101509]基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法
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技术详细介绍
本发明公开了基于支持向量机的GaN HEMT小信号模型建模方法,本发明包括不同偏置状态、工作频率条件下的行为特性的预测。所述晶体管行为特性建模方法,采用支持向量机技术,根据晶体管的输入输出变化规律,在已有的等效电路模型基础上,加入了误差修正模型,进一步提升了基GaN晶体管输出行为特性的精确率,实现了高精度的晶体管模型建立。对已有的基于等效电路方法建立的模型进行了改进,提高了建模效率及建模精度。
