[00101882]一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法

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类型： 发明专利

技术成熟度： 已有样品

专利所属地：中国

专利号：CN202110801603.1

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本发明涉及电化学传感器领域,公开了一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法,本发明先制备均匀的MWNTs-CS纳米复合材料,然后将其滴在玻碳电极上得到MWNTs-CS/GCE复合修饰电极,再利用循环伏安法,在MWNTs-CS/GCE表面合成MIP分子识别元件,最后用磷酸盐缓冲液清洗后得到可检测甘氨酸含量的分子印迹电化学传感器。本发明首次利用MWNTs-CS/GCE复合修饰电极,MWNTs-CS纳米复合材料可以有效地修饰工作电极,可极大地增强电信号,制备具有优异电化学性能的新型传感器。

[00101882]一种识别甘氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法

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