[00102721]揭示单层MoS2能谷直接-间接带隙转变的研究
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技术详细介绍
利用大面积高质量的单层MoS2薄膜，对其施加了流体静压力并进行光谱测量。结果表明单层MoS2在压应力的作用下，其荧光峰先以49.4 meV/GPa的压力蓝移，后以15.3 meV/GPa的压力红移，这对应着直接-间接能带结构的转变，转变点压力为1.9 GPa。
