[00103289]溶液法制备高性能硒氧化铋柔性薄膜和器件

高迁移率二维半导体 因其独特的材料性能有望用于 构筑 后硅 电子学器件 。与典型的体相半导体相比，二维半导体 薄膜 的原子级厚度 除了可有效抑制短沟道效应外，还兼具 良好的 柔性， 这使其 在柔性显示和集成电路 等领域 具有广阔的应用前景。 目前，虽然大量的二维半导体材料体系相继被开发出来，但高迁移率二维半导体薄膜 的 便捷 制备 方法 及其 高性能柔性器件的 构筑手段依然缺乏，阻碍了它们的实际应用。例如，通过化学气相沉积或溶液法合成的过渡金属二硫化物（如 MoS 2 ）薄膜通常具有相对较低的迁移率（ <10 cm 2 / Vs ）。 此外，在柔性基底上构筑高性能柔性器件仍具挑战