[00103300]一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方 法，具体涉及微细加工和太阳能电池技术领域。该方法首先在多晶硅 片表面沉积一层金属 Cr 膜，然后在 Cr 膜上进行光刻和刻蚀制作出微米 Cr 金属掩膜图案；之后用硅片腐蚀液腐蚀硅片制得微米陷光结构， 再用 Cr 腐蚀液去除剩余的 Cr 膜，便在多晶硅表面制得微米陷光结构； 最后在硅片表面沉积 Ag 离子，利用 Ag 离子的金属催化化学刻蚀技术制备纳米结构，去除残余的 Ag 离子后获得微纳复合结构。本发明的制备方法与常规的黑硅绒面制备技术相比能够有效地降低贵金属的消耗， 可以避免额外的表面复合，且微纳复合结构形状周期均可控，能够在 兼顾电学性能的前提下极大地增加多晶硅片对太阳光的吸收。
