[00105463]基于二维材料的电子器件中的金属接触优化
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技术详细介绍
该项目为国家自然科学基金资助青年科学基金项目（项目批准号：11604019）。
二维半导体材料在后硅时代的超短晶体管中有重要的潜在应用，但其与金属电极的接触问题制约着器件的性能。主要研究成果如下：
1. 利用密度泛函理论方法计算了黑磷烯及其类似物、二维 Bi2O2Se 及其类似物等电子材料的电学、力学特性，弄清了这些沟道材料的基态性质。
2. 预测了二维金属材料如硼烯、二维碳氮化合物等应用于黑磷烯、WSe2 等晶体管的电极材料时不同于三维电极材料的机理，给出了不同电极构型、沟道构型对器件性能的影响规律。
3. 探索了基于二维材料的先进电极结构在锂电池方面的应用。
4. 预测了黑磷烯、Bi2O2Se、ReS2 等适用于亚 10nm 甚至亚 5nm 晶体管的沟道材料。研究结果对于下一代高性能晶体管的设计具有理论指导意义。
