[00105499]GaAs 纳米线/In(Ga)As 量子点复合径向异质结构的制备及其光伏特性研究
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技术详细介绍
该项目主要研究内容如下：
1。制备出 GaAs/InAs 纳米线/量子点、Si 基 GaAs/InAs 纳米线/量子点、InGaAs/InAs 纳米壳/量子点、InP/InAs 纳米线/量子点、GaAs/InAs 纳米线/多层量子点、GaAs/InAs 纳米线/孤立量子点等一系列纳米线/量子点复合结构，为纳米线基光电子器件的制备奠定了基础。
2。设计仿真了多节纳米线阵列、表面等离子体增强型 GaAs 纳米线阵列、倾斜纳米线阵列、钙钛矿/纳米线阵列复合结构、纳米线/量子点复合结构等若干新型太阳能电池器件，实现了不同程度转换效率的提升。
3。制备出GaAs 纳米线径向pin 结太阳能电池原型器件，在 AM1。5 太阳光下其开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为 0。17V，21。7mA/cm2，0。32 和 1。2%。
4。制备出基于石墨烯/GaAs 纳米线阵列复合结构的光伏型探测器，在 2 mW 的 532 nm 激光下的开路电压为 0。43V，短路电流为 3。16μA，在零偏压下的光响应度为 1。54 mA/W。
5。制备出基于石墨烯/单根纳米线复合结构光伏器件，在 AM1。5 太阳光下的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为 0。075V、37。5nA、0。276 和 8。8%。
制备出单根 InAs 纳米线光探测器、单根 InAs 纳米线光晶体管、单根 InP 纳米线光探测器等一系列新型纳米线光电转换器件。
