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[00105589]新型低功耗单片集成高速、大功率、高线性光探测器阵列芯片研究

交易价格: 面议

所属行业: 通信

类型: 非专利

技术成熟度: 可以量产

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

该项目为国家自然科学基金资助面上项目(项目批准号:61574019

该项目通过器件结构改进和制备工艺的创新,设计并制备了高线性、高速、大功率、低噪声的光探测器阵列芯片及与光栅分束器集成的阵列芯片。主要研究成果如下:

1. 成功设计并制备了零偏置和低偏置高速运行的 UTC-PD,具有 20μm 14μm 台面直径的 UTC-PD,在零偏置下,3dB 带宽分别为 20.8GHz 40GHz,而反向偏压为 1V 时,3dB 带宽分别为 36.6GHz 和大于 40GHz

2. 成功研制高速、大功率、高线性光探测器阵列芯片,在1550nm 波段高速响应带宽为22GHz交流饱和电流 86.8mA,器件饱和输出功率 21dBm,三阶交调点为 28.28dBm-1V 偏压下暗电 流为 2nA。

3. 提出并制备了SOI 基偏振不敏感的二维亚波长光栅功率 1×21×3 1×4 分束耦合器。

4. 提出并制备了与亚波长光栅分束耦合器集成的对称排布二元 UTC 光探测器阵列以及多元光探测器阵列,其中具有 40μm 直径管芯的二元结构阵列 3dB 带宽为 23.8GHz,饱和电流 87.7mA,在 12GHz 下射频输出功率大于 16dBm。具有 30μm 直径管芯的三元结构阵列和四元结构阵列带宽分别为 19.1GHz 17.2GHz,在 15GHz 下射频输出功率分别为 11.5dBm 13.1dBm

5. 提出一个包含陷阱辅助隧穿机制的完整的暗电流模型。

6. 对光探测器偏压调制技术进行了理论和实验研究。

7. 提出了光探测器微分电容模型。

8. 提出并制备了与 DBR、高反射率会聚光栅集成的反射增强型 UTC

9. 提出一种屋脊型和锥顶型光学微腔,与平行结构的 F-P 腔相比,品质因子大幅提升, 有效模式体积减小,并可以应用于光探测器中以提升器件性能。

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