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一、 项目简介
射频MEMS谐振器件是基于半导体微纳 加工技术制备的高性能、集成化硅基时钟器 件,具有低功耗、低成本、可与IC集成等优 势。
为实现高性能MEMS谐振器、振荡器等 射频谐振器件的产业化,打破国外公司的技 术垄断,项目组国内首次设计实现具有频率 覆盖广、高Q特性的MEMS谐振器、振荡器 等器件;开发了高成品率CMOS兼容制造技 术,可直接转移代工厂。MEMS谐振器、振 荡器是石英晶振的升级换代产品,市场前景 广阔。
二、 技术特点
拥有高频率、高Q值MEMS谐振器件的 设计、加工、封装、测试等整套技术,主要 的关键技术包括:
1。 基于多种MEMS谐振结构和模态的新 型谐振器,实现了谐振频率大范围可调输出, 谐振信号覆盖kHz、MHz、GHz范围,大气下 Q值达到10000以上,真空下可达到130000。
2。 高成品率的硅基谐振器件微纳加工技 术和高可靠性的圆片级封测技术,器件制作 成品率大于90%;
3。 利用高增益、低噪声的驱动电路和温 度补偿电路构成高稳定性振荡器,短期稳定 性达到±0。5ppm,远载波相位噪声-128dBc/Hz, 满足GSM通信要求。
4。 实现了多种硅基射频器件的单片集成, 满足多频、多性能射频前端模块的需求。