[00107332]近红外高速雪崩光电二极管芯片
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技术详细介绍
一、项目简介
目前，国内25G高速雪崩探测器全部依 赖进口。为实现技术自主，项目组在器件模 拟优化和暗电流抑制等方面进行了专项攻关， 取得了技术突破，研制成功InGaAs/InAlAs分 离吸收过渡电荷倍增电荷渡越（SAGCMCT） 结构雪崩光电二极管芯片。该芯片采用特殊 优化器件参数和高精度外延生长技术，具有 低暗电流、高增益带宽、高可靠性等技术优 势。25GHz器件带宽下暗电流进行了最小化 优化，可用于25Gbps/s速率的高灵敏度传输 领域。
图1 InGaAs/InAlAs分离吸收过渡电荷倍增电荷渡越 （SAGCMCT）探测器的结构示意图
二、技术特点
探测波长覆盖1310nm~1550nm波段；
器件具有宽带高增益低暗电流的特性； 0。9Vb偏置电压下暗电流低至6。7nA； 增益带宽积210GHz以上，增益为5时带 宽可高于18GHz，1倍增益响应度0。45A/W。
图2器件的暗电流在0。9Vb偏置下可以达到6X10-8A
图3器件增益带宽积大于200GHz三、 专利情况
已申请相关领域专利1项。
四、 应用领域及市场前景
高速APD在光通讯模块中可以替代探测 器和光放大器的组合，实现高灵敏度探测的 同时降低模块光器件成本，为5G通信和数据 中心中远程传输中提供更高性价比方案。
五、合作方式
技术开发、技术转让。
