[00107339]近红外InGaAs/InP单光子雪崩探测器单元和阵列芯片
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技术详细介绍
一、项目简介
本项目组采用自主研发的低噪声平衡集 成技术，研制了近红外（1064nm~1550nm） 单光子雪崩探测器，在TEC制冷条件下达到 了高探测效率（，30%）、低暗计数（W10-5/ 门）水平；近红外单光子阵列器件采用具有 自主知识产权的隔离技术，可有效降低像元 串扰及提高成像分辨率，直径50pm像元中 心距为100pm的背入射平面型SPAD阵列具 有良好的击穿电压一致性，8*8阵列的均差 在0。5V，0。9Vb偏压时暗电流小于1nA。可为 量子保密通信系统和长距离激光雷达提供平 衡单光子探测，为新型3D成像激光雷达提供 高速高质量单光子探测阵列。
图1 TEC制冷InGaAs单光子探测平衡器件及测试模块
二、技术特点
高SPAD器件雪崩击穿与光场重合；滤 波平衡探测，低暗计数；可靠的扩散工艺； 面阵高一致性。高性能芯片的制备条件较为 苛刻，达到较高的制备成品率需要高端设备 和严格的技术条件。
图2探测器阵列的IV特性
三、 专利情况
已申请发明专利2项。
四、 应用领域及市场前景
近红外单光子探测在量子密钥和高端激 光雷达领域具有明确的发展前景，在长距离、 高速、高灵敏度探测和成像方面将发挥重要 作用。
五、 合作方式
技术转让。
