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一、 项目简介
氮化镓(GaN)材料体系(包括InN、GaN、 AlN及其合金,禁带宽度从0。7-6。2eV,波长 范围从1。77Pm-200nm)光谱范围覆盖了从 近红外到深紫外全波段。以GaN为核心材料 的紫外激光器在杀菌、生化检测、激光加工、 固化、光通讯等领域有重要的应用价值,市 场空间巨大。
国际上已经开展了大量的研究工作,但 是仅有少数单位能够实现GaN基紫外激光器。 1996年,诺贝尔奖获得者、日本科学家I。 Akasaki教授等人实现了 376 nm的单量子 阱激光器室温脉冲激射。2001年,日本Nichia 公司报道了室温连续工作、波长为369 nm的 紫外激光器。2016 年,Hamamatsu Photonics 公司实现了 338。6nm激光器的室温脉冲激射, 峰值功率超过1W,为目前报道最高值。2019 年,诺贝尔奖获得者、日本科学家H。 Amano 教授等研制出波长为271。8nm的UVC紫外激 光器,实现了历史性的突破。
在国内,中科院半导体所在2016年研制 出我国第一只GaN基紫外激光器,波长 380-395nm,目前连续激射功率380mW,是 国内唯一能实现紫外激光连续激射的研究机 构。
二、 技术特点
(1) 效率高、体积小、重量轻且价格低;
(2) 近单色性且波长可调;
(3)具有更好的可控性,包括光色可调、 时间空间可控;
(4)具有高速通信功能。
三、 专利情况
已申请国家发明专利15项,其中授权8 项。