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一、项目简介
氮化镓(GaN)材料体系(包括InN、GaN、 AlN及其合金,禁带宽度从0。7-6。2eV,波长 范围从1。77um-200nm )光谱范围覆盖了从 近红外到深紫外全波段。以GaN为核心材料 的蓝光激光器在激光显示、激光投影、激光 照明、激光加工等领域有重要的应用价值, 市场空间巨大。
国际上已经开展了大量的研究工作,目 前日本日亚公司、欧司朗公司产品性能较好, 其中日本日亚公司的产品处于国际先进水平, 其蓝光产品阈值已经降到2kA/cm2以下,光 功率超过5W,寿命达数万小时,产品已经应 用到激光显示、激光投影等领域。
国内,半导体所已经制备出阈值低于 2kA/cm2、功率超过3。1W,寿命超过1000 小时的GaN基蓝光激光器。但产品尚不成熟, 目前并无商用产品。
(1) 效率高、体积小、重量轻且价格低;
(2) 近单色性,采用半导体激光器作为 显示光源的系统具有色彩分辨率高、色彩饱 和度高的特点;
(3) 具有更好的可控性,包括光色可调、 时间空间可控;
(4) 具有高速通信功能。
三、 专利情况
已申请国家发明专利20项,其中授权8 项。
四、 市场分析及应用情况
GaN基蓝光激光器在激光显示、激光投 影、激光照明、激光加工等领域有重要的应 用价值,市场空间巨大。在激光显示和微型 投影的带动之下,预计2035年GaN基蓝光 激光二极管的市场规模将达到数十亿美元。
五、 合作方式
技术开发、技术转让、技术服务等方式。