[00107779]厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。
