[00108189]一种碳化硅位错检测方法
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技术详细介绍
本发明涉及单晶材料位错检测技术领域，公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法，可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息，耗时短、危害性小、便于流水线工作。
