[00108271]量子点发光二极管以及制备方法
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技术详细介绍
本发明实施例公开了一种量子点发光二极管以及制备方法，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
