交易价格: 面议
所属行业: 其他电气自动化
类型: 非专利
技术成熟度: 通过小试
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本发明提供了一种金属 硫属半导体材料、其制备方法和用途,该金属 硫属半导体材料包括金属 硫属半导体晶体,金属 硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1 100纳米,金属 硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体,纳米片具有原子级厚度,纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。所述金属 硫属半导体材料属于纳米半导体晶体材料,粒径均一,形貌及大小可控,性能好,其制备方法所需的原料物种较少,反应条件温和,产率高,适于工业化应用。
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