[00108458]一种单片集成半导体阵列器件
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技术详细介绍
本实用新型实施例公开了一种单片集成半导体阵列器件，该阵列器件包括衬底及位于衬底上阵列排布的多个集成半导体器件；集成半导体器件包括HEMT及LED；HEMT位于衬底的第一区域，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及源极和栅极；LED位于衬底的第二区域，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本实用新型实施例提供的阵列器件完全基于三族氮化物，阵列中的单个器件为HEMT?LED集成器件，器件内部无需金属线连接，可以简化器件结构，减少寄生电阻，制备更小尺寸的LED微显示器，实现完全基于三族氮化物的微显示器。
