联系人:
所在地:
本实用新型实施例公开了一种单片集成半导体阵列器件,该阵列器件包括衬底及位于衬底上阵列排布的多个集成半导体器件;集成半导体器件包括HEMT及LED;HEMT位于衬底的第一区域,HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及源极和栅极;LED位于衬底的第二区域,LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及p型电极;n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本实用新型实施例提供的阵列器件完全基于三族氮化物,阵列中的单个器件为HEMT?LED集成器件,器件内部无需金属线连接,可以简化器件结构,减少寄生电阻,制备更小尺寸的LED微显示器,实现完全基于三族氮化物的微显示器。