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本发明公开了一种LED芯片制作方法,该LED芯片制作方法包括:提供衬底;根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理;在衬底上形成LED芯片外延层;形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案,通过先对衬底进行切割处理,再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层,在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下,可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤,且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题,提高了形成的LED芯片的性能和质量,节约了大量时间和资源。