[00108512]一种单片集成半导体器件
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技术详细介绍
本实用新型实施例公开了一种单片集成半导体器件，该器件包括：衬底；衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；设置于第一区域上的HEMT，HEMT包括沿远离衬底方向依次层叠设置的沟道层、空间层、势垒层及设置于势垒层上的源极和栅极；设置于第二区域上并围绕HEMT设置的LED，LED包括沿远离衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层及设置于p型层上的p型电极；n型层的侧壁与沟道层的侧壁接触。本实用新型实施例提供的单片集成半导体器件，实现了电压控制LED，并通过设置LED围绕HEMT，增加了LED的n型层和HEMT的沟道层接触面积，提高了电子的注入，改善了电流的均匀性，有效提高了器件的电学性能。
