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本发明涉及半导体晶片加工领域,公开了一种等离子减薄装置与方法,其中等离子减薄装置包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,惰性气体供给装置用于向间隙内通入惰性气体,以在间隙内形成等离子体,等离子体向间隙外喷出形成等离子体火焰,刻蚀气体供给装置用于向等离子体火焰中通入刻蚀气体。本发明可以增加待加工工件与电极之间的距离,保证大尺寸晶片加工时的均匀性;同时,本发明的刻蚀气体在电极外的等离子体火焰中通入,不会产生电弧放电,故可以保证等离子体的稳定性,进而能够适应大尺寸晶片的加工。