[00108581]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管。该晶体管包括依次层叠的衬底层、沟道层和势垒层；p型栅极，位于势垒层远离衬底层的一侧；阻挡介质层，位于p型栅极远离衬底层的一侧；阻挡介质层为绝缘材料；栅极金属层，位于阻挡介质层远离所述p型栅极的一侧；源极和漏极，源极和漏极位于势垒层远离衬底层的一侧。本发明实施例提供的增强型高电子迁移率晶体管，通过在p型栅极和栅极金属层之间插入阻挡介质层，阻挡介质层可以较大幅度地提高增强型高电子迁移率晶体管的p型栅极的击穿电压，同时提高增强型高电子迁移率晶体管的阈值电压，提高栅极电压的最大摆幅，提高增强型高电子迁移率晶体管的性能。
