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本发明涉及一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途,所述铝掺杂半导体量子棒具有核壳结构,核为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe或ZnMnSe中的任意一种或至少两种的混合物,壳层为Al掺杂的壳基材,所述壳基材为CdS、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe中的任意一种或至少两种的混合物。本发明不改变核材料的结构和组成,而是铝原子融入量子棒壳材料的晶格中,在量子棒表面形成一层钝化层,提高量子棒的光稳定性,不仅稳定性更高,而且不易引起猝灭。