[00108823]一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法
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本发明公开了一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法。该晶体管包括：基底，基底包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的栅区；氮化镓调制栅，位于栅区，氮化镓调制栅包括掺杂P型离子的氮化镓材料；源极及漏极，源极位于源区，漏极位于漏区；栅极金属层，位于氮化镓调制栅的远离基底的表面上，栅极金属层至少包括镧系金属层，镧系金属层与氮化镓调制栅接触。本发明实施例提供的增强型氮化镓晶体管，通过在氮化镓调制栅远离基底的一侧设置镧系金属层，并使镧系金属层与氮化镓调制栅接触，在增强型氮化镓晶体管工作时，需要提供更高的电压才能使源极和漏极之间的沟道导通，因此，提高了增强型氮化镓晶体管的栅极阈值电压，减少了栅极漏电流。
