[00110416]一种后栅工艺中的栅极形成方法
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技术详细介绍
本发明提供一种后栅工艺中的栅极形成方法，包括：进行多次淀积工艺以在栅开口中形成栅介质层，淀积工艺包括步骤：淀积栅介质材料；低温热退火，所述热退火的温度低于600℃；在栅介质层上淀积栅极。本方法应用于后栅工艺，在去除伪栅形成栅开口后，通过多次淀积工艺形成栅介质层，每次淀积栅介质材料后都进行低温热退火，从而减少栅介质材料中的缺陷，降低器件的漏电，提高器件的性能。
