[00111032]一种MOCVD设备喷淋头及其气相反应控制方法
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摘要：本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔，MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部，氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔，保护气体通道设置于MO源通道和氧源通道之间，保护气体在反应腔内形成气壁，从而分隔开MO源气体以及氧源气体在反应腔内到达旋转基座前的预混合，从而提高MOCVD设备生长薄膜的质量。本发明提供的MOCVD设备喷淋头可通过控制保护气体流量来控制气壁的厚度以及长短，通过设计观察通道、MO源通道、保护气体通道及氧源通道的设计可以准确控制生长薄膜的质量，得到高质量的薄膜。
