[00111357]长期抗PID 组件 JKMxxxP-60
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技术详细介绍
本项目对现有的电池工艺进行优化。改进电池的扩散工艺,形成不同表面浓度和扩散深度的P-N结,通过组件PID测试得到最佳的抵抗表面离子影响的扩散工艺。改进电池的镀膜工艺,应用不同的气体比例、镀膜厚度、折射率和膜层结构等,通过组件PID测试得到最佳的镀膜工艺参数。本不改变现有电池生产工艺流程,主要在镀膜工艺处进行了技术创新。①通过对电池的镀膜工艺做了变动,使电池表面的减反射膜更致密更绝缘,增强电池片抵抗累计电荷与电池结构发生复合反应的几率以及速率。②通过研究摸索玻璃、EVA、硅胶以及背板等对组件PID 效应的影响,找出可抗PID 效应的最优搭配。③通过验证不同封装材料、工艺、生产环境和生产模式,并结合电池配合调整,即可达到长期抗PID 效果,此技术以及成果均处世界领先。
