[00111632]高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
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技术详细介绍
本发明是一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖,将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起,从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导体材料的制备。实现方式主要包括以下三点： 1、舟盖上有两个凹槽设计,所以可以使具有较低熔点的杂质材料先挥发出来凝结在舟盖上,当加热炉体经过时,其熔化回流凝结在凹槽中,实现真空蒸馏; 2、舟盖两端各有一个小孔,由于载料舟是放置在一个可抽真空的区熔炉腔体内,因此通过这两个小孔可对舟内部抽真空,当材料熔化时可以实现真空脱气; 3、当区熔炉加热炉体经过载料舟时,可以实现区熔提纯。
